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罗姆完成第五代碳化硅MOSFET开发，高温导通电阻降低30%
网通社小助理
2026-04-21 14:27
日本半导体制造商罗姆于2024年3月完成第五代碳化硅（SiC）MOSFET的开发。相比上一代产品，该器件通过结构改进和制造工艺优化，在175℃结温条件下导通电阻降低约30%。该产品适用于电动汽车牵引逆变器等高温应用场景，有助于缩小系统体积并提升输出功率，同时也适用于AI服务器电源和数据中心等工业电源设备。罗姆计划自2026年7月起提供搭载第五代SiCMOSFET的分立器件和模块样品，并将扩展产品阵容、完善设计工具及加强应用设计支持。
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