ROHM推出650V耐压第4代IGBT，实现超低导通损耗与高短路耐受能力
网通社小助理
2026-06-25 15:10
ROHM开发出650V耐压的第4代IGBT，适用于车载电动压缩机、高压（HV）加热器及工业设备用变频器等应用。该产品在650V级车规产品中实现业界较低的导通损耗，饱和电压VCE(sat)为1.55V，并具备优异的短路耐受能力，在结温Tj=25℃时可达7微秒，符合汽车电子可靠性标准AEC-Q101。 通过优化工艺及包括外围结构在内的器件结构，新产品提升了电流密度，同时降低导通损耗和开关损耗。产品阵容包括采用TO-247N封装的“RGAxxTS65HR/RGAxxTS65EHR”共12个型号，以及裸芯片形式的“SG83xxWN”共10个型号。此外，采用TO-247-4L封装的“RGAxxTR65HR／RGAxxTR65EHR”12个型号正在开发中。 该系列产品自2026年5月起以月产100万个的规模量产，样品价格为1,300日元/个（不含税），TO-247N封装产品支持网售。ROHM官网提供SPICE模型、PLECS模型等设计资料供用户下载。 未来，ROHM计划扩展同封装型号阵容，并开发采用TO-263L封装及顶部散热（TSC）结构的小型表面贴装IGBT产品，以推动汽车和工业设备应用的高效化与小型化。
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