罗姆SiC MOSFET量产AI服务器BBU，车规级功率半导体技术跨界赋能

供应链内参 2026-05-31 17:50

罗姆（ROHM）宣布其750V耐压SiC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）已应用于AI服务器电源的BBU（电池备份单元）。随着HVDC（高压直流供电）架构普及，这款具备车规级可靠性的功率半导体正从新能源汽车跨界至数据中心供应链，标志着碳化硅器件在高压场景的量产交付能力获双重验证。

罗姆是全球知名半导体制造商，旗下EcoSiC™品牌采用IDM（垂直整合制造）模式，覆盖从晶圆到封装的全流程。作为Tier2级核心供应商，罗姆在车规级功率器件领域积累深厚，其产品广泛应用于车载OBC（车载充电机）及主驱逆变器，是碳化硅国产替代进程中的重要对标企业。

此次被选用的型号为SCT4013DLL，配置于±400V供电架构中，最高结温达175°C。该产品不仅满足当前AI服务器需求，还兼容下一代800VDC架构中约560V的电池组电压。这种跨平台通用性意味着同一款车规级SiC器件可同时支撑汽车与数据中心两大高增长市场的量产交付。

对下游车企而言，罗姆在AI服务器领域的量产验证反哺了车规级产品的可靠性背书。数据中心对高温、高功率密度的严苛要求，证明了该SiC MOSFET在800V高压平台车型中的稳定性。这为国内车企在选型时提供了除英飞凌、意法半导体之外的成熟供应链新选择，有助于缓解高端功率器件缺货风险。

在国产替代维度，国内三安光电、斯达半导等厂商正加速追赶。罗姆此次在AI服务器BBU的定点，展示了国际巨头在非车市场的技术溢出效应。相比之下，国产SiC MOSFET虽在车规级认证上取得突破，但在800V以上高压工业及服务器电源领域的量产案例仍较少，高端市场格局尚未完全改变。

从行业趋势看，碳化硅正从单一的汽车应用向“车+算力”双轮驱动演进。AI服务器功耗激增推动HVDC架构成为主流，这与电动汽车800V平台的技术路径高度重合。未来，功率半导体供应商的竞争将不再局限于车规级AEC-Q100认证，而是比拼在多重高压场景下的综合解决方案能力。

同期，罗姆还发布了符合AEC-Q100标准的车载SoC可扩展电源方案BD968xx-C系列。该方案通过PMIC（电源管理集成电路）与DrMOS组合，适配ADAS及座舱芯片。这表明罗姆正在构建“SiC功率器件+模拟IC”的系统级供应能力，进一步巩固其在智能汽车供应链中的Tier1/Tier2双重角色。

展望未来，罗姆计划持续加强SiC、GaN（氮化镓）及硅基功率器件的开发。随着天津和大连工厂产能释放，其在中国市场的本土化供应能力将进一步增强。对于国内产业链而言，关注罗姆在AI服务器领域的量产节奏，可为预判车规级SiC产能分配及技术迭代方向提供重要前瞻信号。

罗姆SiC MOSFET在AI服务器BBU的量产交付，不仅是数据中心供应链的事件，更是车规级功率半导体技术外溢的里程碑。它验证了碳化硅器件在高压、高温场景的通用性，也为国产替代指明了从“车规级认证”迈向“多场景量产”的进阶路径，对理解汽车供应链暗线具有重要参考价值。

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