英飞凌推出750V CoolSiC™顶部冷却H-DPAK半桥器件
网通社小助理
2026-06-12 18:36
英飞凌科技股份公司扩展其750VCoolSiC™产品组合，新增采用顶部冷却封装的H-DPAK半桥器件。该器件基于CoolSiC™G2技术，适用于汽车和工业应用中的高可靠性电源转换系统。H-DPAK将完整的单向半桥功率级集成于单一封装内，采用分体式引线框架设计并优化漏极焊盘，以提升散热性能，并满足高密度、高功率电路板布局的间距要求。该封装高度为2.3mm，与英飞凌现有的Q-DPAK和TOLT封装保持一致，便于板级集成。H-DPAK支持液冷，具备低寄生回路电感，可实现更快速、干净的开关操作，有助于减小无源元件尺寸，并提供CoolSiC™技术在RDS(on)×QOSS、RDS(on)×Qfr等参数上的优异表现，以及在雪崩、过载和短路条件下的高鲁棒性。
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